Karbid křemíku - Technologie, která mění svět

Vážené studentky, vážení studenti,

dovolujeme si Vás všechny touto cestou co nejsrdečněji pozvat na přednášku firmy ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o., která se uskuteční ve středu 6. listopadu od 15 hod v posluchárně B4.

• Přijďte si poslechnout fascinující přednášku o nejnovějších pokrocích v technologii SiC.
• Objevte, jak SiC technologie transformuje energetické systémy a elektroniku, a to díky své schopnosti zvyšovat účinnost a snižovat energetické ztráty.
• Zjistěte, jaký dopad může mít tato technologie na budoucnost udržitelné energie a elektronických zařízení.
• Provedeme vás inovativními metodami výroby, které umožňují SiC polovodičům dosahovat výjimečných vlastností, jako je vysoká teplotní odolnost a výkon při vysokých frekvencích, napětích a proudech.
• Získejte jedinečné poznatky o budoucích trendech a aplikacích této převratné technologie, přímo od jednoho z předních odborníků v oboru. 

Přednášet bude Radim Čtvrtlík, Senior Material Science Engineer

Radim Čtvrtlík působí v R&D týmu společnosti onsemi, kde se zaměřuje na vývoj epitaxiálního růstu vrstev karbidu křemíku (SiC) metodou CVD a jejich charakterizaci. Absolvoval Univerzitu Palackého v Olomouci, kde získal diplom z aplikované fyziky a metrologie a doktorát z depozice a charakterizace tenkých vrstev. Výzkum prováděl na Fyzikálním ústavu AV ČR a Virginia Polytechnic Institute and State University (USA). Jeho vášeň pro výzkum je poháněna touhou nejen pochopit, ale i zužitkovat znalosti o tom, jak technologické podmínky ovlivňují strukturu, složení a fyzikální vlastnosti tenkých vrstev a povlaků.

Věříme, že toto setkání může být zajímavé a inspirativní napříč odbornostmi.

Těšíme se na setkání.